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NTGD3149C
TYPICAL CHARACTERISTICS (N ? CHANNEL)
600
550
500
450
400
350
300
250
200
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
Q1
Q2
QT
150
100
50
0
0
2.0
4.0
6.0
C oss
C rss
8.0
10
12
14
16
18
20
1.0
0.5
0
0
1.0
2.0
3.0
I D = 3.5 A
T J = 25 ° C
4.0
5.0
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Nch Capacitance Variation
3.5
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Nch Gate ? to ? Source Voltage vs.
Total Charge
V DD = 10 V
I D = 3.5 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
3.0
2.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2.0
10
t d(on)
t r
1.5
1.0
1.0
1.0
t f
10
100
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Nch Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Nch Diode Forward Voltage vs.
Current
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